特許

J-GLOBAL ID：200903041350927852

半導体レーザの製造方法

発明者： 藤原 正敏
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-156498
公開番号（公開出願番号）：特開平11-004041
出願日： 1997年06月13日
公開日（公表日）： 1999年01月06日
要約：

【要約】【課題】 容易に形成することができる、電流を狭搾可能なリッジを備えた半導体レーザの製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】 CH4 とH2 とを用いたドライエッチングによりリッジ10を形成し、その後、上クラッド層3及びコンタクト層4上に電極金属7を形成するようにした。

請求項（抜粋）：

第1導電型半導体基板上に第1導電型下クラッド層,活性層,第2導電型上クラッド層、及び第2導電型コンタクト層を順次結晶成長させる工程と、該コンタクト層上にストライプ状の絶縁膜を形成する工程と、該絶縁膜をマスクとして、メタンガス(CH4)と水素ガス(H2)とを含むガスを用いたドライエッチングにより、上記コンタクト層と上クラッド層の上部とを、選択的にエッチングしてリッジを形成する工程と、上記絶縁膜を除去した後、上記エッチングにより露出した面上,及び上記コンタクト層の上部を覆うように、電極金属を形成する工程と、上記基板の裏面側に電極金属を形成する工程とを備えたことを特徴とする半導体レーザの製造方法。