特許

J-GLOBAL ID：200903041359317348

半導体装置

発明者： 竹田 敏郎 ,  番場 敏夫 ,  平野 孝 ,  竹田 直滋
出願人/特許権者： 住友ベークライト株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-138593
公開番号（公開出願番号）：特開平9-321038
出願日： 1996年05月31日
公開日（公表日）： 1997年12月12日
要約：

【要約】【課題】 封止樹脂との密着性に優れるポジ型感光性樹脂を用いて半導体素子上に高残膜率のポリベンゾオキサゾール樹脂のパターンを形成する半導体装置を提供すること。【解決手段】 半導体素子上に厚さ0.1〜20μmの下記の一般式(I)で示されるポリベンゾオキサゾール樹脂が形成されていることを特徴とする半導体装置。【化1】

請求項（抜粋）：

半導体素子上に厚さ0.1〜20μmの一般式(I)で示されるポリベンゾオキサゾール樹脂が形成されていることを特徴とする半導体装置。【化1】

IPC (5件)：

H01L 21/312 ,  C08G 73/22 NTR ,  G03F 7/023 501 ,  G03F 7/075 511 ,  H01L 21/027

FI (5件)：

H01L 21/312 D ,  C08G 73/22 NTR ,  G03F 7/023 501 ,  G03F 7/075 511 ,  H01L 21/30 502 R

引用特許：

審査官引用 (1件)

• ポジ型感光性樹脂組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-253147   出願人：住友ベークライト株式会社