特許

J-GLOBAL ID：200903041362900194

フォトマスク、該フォトマスクの製造方法、該フォトマスクを扱う投影露光装置、及び投影露光方法

発明者： 高橋 哲男
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
代理人 (1件)： 井上 義雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-049802
公開番号（公開出願番号）：特開2001-117213
出願日： 2000年02月25日
公開日（公表日）： 2001年04月27日
要約：

【要約】【課題】短波長の露光ビームに対しても十分な耐久性を有すると共に、転写用のパターンに対する異物の付着を防止できるフォトマスクを提供すること。【解決手段】 被露光基板19へ転写するための転写パターンが形成され、該転写パターンが形成されるパターン面1Pに照射される所定の露光ビームを、前記パターンの像を形成するための投影光学系PLへ導くフォトマスクにおいて、/ 前記パターン面に対して所定の間隔d0だけ隔離して配置されて、所定の厚さhと、前記露光ビームに対する透過性とを有する透過性基板3を有し、該透過性基板は、ほぼ方形状であり、かつ所定の条件を満足する。

請求項（抜粋）：

被露光基板へ転写するための転写パターンが形成され、該転写パターンが形成されるパターン面に照射される所定の露光ビームを、前記パターンの像を形成するための投影光学系へ導くフォトマスクにおいて、前記パターン面に対して所定の間隔だけ隔離して配置されて、所定の厚さと、前記露光ビームに対する透過性とを有する透過性基板を有し、該透過性基板は、ほぼ方形状であり、かつ以下の条件を満足することを特徴とするフォトマスク。ただし、h:前記透過性基板の厚さ(cm),n:前記透過性基板の露光ビームに対する屈折率,β:前記投影光学系の倍率,λ:前記露光ビームの波長(cm),ρ:前記透過性基板の密度(g/cm3),であり、Eを前記透過性基板のヤング率とし、σを前記透過性基板のポアソン比とするとき、F=E/(12・(1-σ2)) (2)である。

IPC (2件)：

G03F 1/14 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

G03F 1/14 J ,  H01L 21/30 502 P

Fターム (5件)：

2H095BA01 ,  2H095BC19 ,  2H095BC31 ,  2H095BC33 ,  2H095BC38