特許
J-GLOBAL ID：200903041365061371

太陽電池

発明者：
鶴田 明三

鶴田 明三 について

, 
安田 順一

安田 順一 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (5件)： 曾我 道照 ,  曾我 道治 ,  古川 秀利 ,  鈴木 憲七 ,  梶並 順
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-130486
公開番号（公開出願番号）：特開2004-335786
出願日： 2003年05月08日
公開日（公表日）： 2004年11月25日
要約：
【課題】製造時での半導体基板の亀裂の発生を防止することができる太陽電池を得ることを目的とする。【解決手段】シリコン基板1の表面2には、表面側電極3が付着されている。表面2及び表面側電極3には、表面側タブ4がはんだ付けされている。シリコン基板1の裏面6には、裏面側電極7が加熱焼成により付着されている。裏面側電極7は、複数の穴部8を含むベース電極9と、各穴部8に配置された複数のランド電極10とを有している。各ランド電極10には、裏面側タブ11がはんだ付けされている。表面側タブ4の厚さは、表面側タブ4のはんだ付けにより生じるシリコン基板1の反りと、裏面側電極7の焼成及び裏面側タブ11のはんだ付けにより生じるシリコン基板1の反りとが互いに相殺されるように、調整されている。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
表面及び裏面を有する半導体基板、 上記表面に沿って延び、かつ、はんだ付けにより上記表面に設けられた表面側タブ、 加熱焼成により上記裏面に設けられた裏面側電極、及び 上記裏面に沿って延び、かつ、はんだ付けにより上記裏面側電極に設けられた裏面側タブ を備え、 上記表面側タブのはんだ付けにより生じる上記半導体基板の反りと、上記裏面側電極の焼成及び上記裏面側タブのはんだ付けにより生じる上記半導体基板の反りとが互いに相殺されるように、上記表面側タブの厚さが調整されていることを特徴とする太陽電池。
IPC (1件)：
H01L31/04
FI (1件)：
H01L31/04 H
Fターム (10件)：
5F051AA03 ,  5F051BA11 ,  5F051CB27 ,  5F051FA06 ,  5F051FA10 ,  5F051FA14 ,  5F051FA21 ,  5F051FA25 ,  5F051GA04 ,  5F051JA03
引用特許：
審査官引用 (7件)
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