特許

J-GLOBAL ID：200903041366144220

携帯電話端末の送信電力制御回路

発明者： 箕輪 守彦
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-260274
公開番号（公開出願番号）：特開平7-115381
出願日： 1993年10月19日
公開日（公表日）： 1995年05月02日
要約：

【要約】【目的】 携帯電話端末の送信部の被変調信号をFETで多段増幅する高出力増幅器の出力電力を所定値になる様に制御する送信電力制御回路に関し、其の高出力増幅器の出力電力を其の最大値より小さい所定値に制御する時でも、其の電源電力の変換効率が劣化しない様なFET(トランジスタ)使用の高出力増幅器の送信電力制御回路の実現を目的とする。【構成】 携帯電話端末の送信部の被変調信号を素子FETで多段増幅する高出力増幅器(14)の出力電力を所定値になる様に制御する送信電力制御回路において、該高出力増幅器(14)の素子FETのドレイン電圧(Vd)を0v としゲート電圧(Vg)を負方向に変えられる制御信号(C)を生成する制御回路(1) を具え、該制御回路(1) の出力の制御信号(C)に制御される高出力増幅器(14)の多段のFETのうち必要とするFETが利得の無い減衰器として動作し該高出力増幅器の出力電力を最大値から一定値下った所定値とするように構成する。

請求項（抜粋）：

携帯電話端末の送信部の被変調信号を素子FETで多段増幅する高出力増幅器(14)の出力電力を所定値になる様に制御する送信電力制御回路において、該高出力増幅器(14)の素子FETのドレイン電圧(Vd)を0v としゲート電圧(Vg)を負方向に変えられる制御信号(C)を生成する制御回路(1) を具え、該制御回路(1) の出力の制御信号(C)に制御される高出力増幅器(14)の多段のFETのうち必要とするFETが利得の無い減衰器として動作し該高出力増幅器の出力電力を最大値から一定値下った所定値とすることを特徴とした携帯電話端末の送信電力制御回路。

IPC (3件)：

H04B 1/40 ,  H04B 1/04 ,  H04B 7/26 102