特許
J-GLOBAL ID：200903041369532140
半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-011215
公開番号（公開出願番号）：特開平8-274172
出願日： 1996年01月25日
公開日（公表日）： 1996年10月18日
要約：
【要約】【課題】 金属プラグと上層金属配線との反応による電気抵抗値の高い合金の形成を防止し、アライメントマージンのない製造工程による集積度の高いかつ信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】 下層金属配線2の上方の層間絶縁膜3に接続孔4を形成する工程と、接続孔4内にWプラグ6を形成する工程と、層間絶縁膜3とWプラグ6の上に第1の金属膜9b及び第2の金属膜7aを形成する工程と、アライメントマージンのないフォトレジストマスク8を用いて配線下敷膜7を形成する工程と、露出した第1の金属膜9bをエッチングにより除去しながらWプラグ6の上にチタンのフッ化物等からなる拡散防止膜10を形成する工程とを設ける。チタンのフッ化物により、タングステンとアルミニウムの拡散を妨げ、電気抵抗値の高い合金の形成を防止する。
請求項（抜粋）：
導電層を有する半導体基板上に絶縁膜を形成する第1の工程と、上記絶縁膜を貫通して上記導電層に到達する接続孔を開口する第2の工程と、上記接続孔内にタングステン等のリフラクトリ金属で構成される金属プラグを形成する第3の工程と、上記絶縁膜及び上記金属プラグの上に配線下敷膜用の第1の金属膜を堆積する第4の工程と、上記第1の金属膜の上に上記金属プラグ中の上記リフラクトリ金属と反応して高抵抗化合物を形成する金属で構成される第2の金属膜を堆積する第5の工程と、上記第2の金属膜の上に、上記金属プラグの上方となる領域の少なくとも一部を含む領域に残されたフォトレジストマスクを形成する第6の工程と、上記フォトレジストマスクを用いたエッチングにより、上記第2の金属膜を選択的に除去して上記金属プラグに接続される金属配線をパターニングする第7の工程と、上記第1の金属膜のうち上記第7の工程で表面が露出した部分をエッチングにより除去する第8の工程と、上記金属プラグの上面のうち上記金属配線直下の上記第1の金属膜で覆われていない部分の上に、上記金属配線と上記金属プラグとの間における構成原子の相互拡散を妨げるための拡散防止膜を形成する第9の工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/768
, H01L 21/28 301
, H01L 21/3205
H01L 21/90 B
, H01L 21/28 301 R
, H01L 21/88 M
