特許

J-GLOBAL ID：200903041370664076

青色発光窒化ガリウムのヘテロエピタキシャル成長方法

発明者： リー サン ソク ,  ホワン ジン ソー ,  チョン パウル ジョエ
出願人/特許権者： コレア リサーチ インスティチュート オブ ケミカル テクノロジー
代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-015496
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078728
出願日： 1995年01月05日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：

【要約】【目的】 青色発光GaN を、コヒーレント・レーザ援用気相エピタキシャル法によって、サファイア単結晶基板の表面上にヘテロエピタキシャル成長させる。【構成】 先ず、AlN 薄層を基板表面と窒化ガリウム活性層との間の界面に緩衝層として系内堆積する。次いで、トリメチルガリウムのようなガリウム含有有機金属前駆物質とアンモニアのような窒素含有反応体との共振光分解反応を利用して、ウルツ鉱型単結晶格子構造を有する厚さ約2〜30μm のモノリシツクGaN薄膜をエピタキシャル成長させる。【効果】 従来法より低い800 °C付近の温度において、従来法より著しく低い0.1 〜3.8 mmHg(0.1 〜3.8 トール)という蒸気圧下に、青色発光GaN 薄膜が得られる。

請求項（抜粋）：

二成分化合物半導体の薄膜上に、活性元素としてIII 族ガリウムとV族窒素とからなる青色発光窒化ガリウムを、レーザ援用気相エピタキシャル成長させるに当り、系内で製造された窒化アルミニウム緩衝層を有する面配向サファイア基板上に、吸光性の大きい反応体と共振する放射波長を有する選択されたレーザを照射しながら、前記基板上における光分解反応によって、前記窒化ガリウムの層を堆積することを特徴とする青色発光窒化ガリウムのヘテロエピタキシャル成長方法。

IPC (4件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 27/12

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭63-188932
  
• 特開平4-187597
  
• 特開平2-229476
  
• 特開平3-183173