特許
J-GLOBAL ID：200903041374132877
有機EL素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
中村 静男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-331472
公開番号（公開出願番号）：特開平11-162652
出願日： 1997年12月02日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：
【要約】【課題】 有機EL素子を作製するあたっては、対向電極を真空蒸着法によって形成するようにすれば素子性能が高い有機EL素子を得ることができるが、その反面、量産性が低下する。一方、スパッタリング法によって対向電極を形成するようにすれば高い量産性の下に有機EL素子を作製することができるが、従来より適用されているスパッタリング法では、得られる有機EL素子の素子性能が低下する。【解決手段】 基材上に下部電極を形成し、該下部電極上に発光部を形成し、該発光部上に対向電極を形成して有機EL素子を得るにあたり、前記の対向電極を保護電極層と主電極層との2層構造とし、かつ、前記の保護電極層を真空蒸着法によって前記の発光部上に形成した後、該保護電極層上に誘導結合型マグネトロンスパッタリング法によって前記の主電極層を形成する。
請求項（抜粋）：
基材と、該基材上に形成されている下部電極と、該下部電極上に形成されている発光部と、該発光部上に形成されている対向電極とを備え、前記の対向電極が、真空蒸着法によって前記の発光部上に形成された保護電極層と、誘導結合型マグネトロンスパッタリング法によって前記の保護電極層上に形成された主電極層とによって構成されていることを特徴とする有機EL素子。
IPC (3件)：
H05B 33/26
, H05B 33/10
, H05B 33/14
H05B 33/26 Z
, H05B 33/10
, H05B 33/14 A
