特許
J-GLOBAL ID：200903041381581083
磁気抵抗効果素子と、それを用いた磁気ヘッドおよび磁気記録装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-060164
公開番号（公開出願番号）：特開平10-321930
出願日： 1998年03月11日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：
【要約】【課題】 スピンバルブ膜の大きなMR変化率を維持した上で、低磁歪定数を満足させる。さらには、良好な軟磁気特性を付与する。【解決手段】 第1の磁性層1と、第2の磁性層2と、これらの間に介在された非磁性層3とを有するスピンバルブ膜6と、このスピンバルブ膜6にセンス電流を供給する一対の電極16とを具備する磁気抵抗効果素子である。第1および第2の磁性層1、2のうち、少なくとも一方の磁性層はそれを構成する結晶粒の最密面が等方分散している。このような磁性層は、例えば当該磁性層と同一の結晶構造を有する下地層の膜厚を例えば 2.0nm以下とし、この下地層を構成している結晶粒の最密面を等方分散させることにより再現性よく得ることができる。
請求項（抜粋）：
第1の磁性層と、第2の磁性層と、前記第1の磁性層と第2の磁性層との間に介在された非磁性層とを有するスピンバルブ膜と、前記スピンバルブ膜にセンス電流を供給する一対の電極とを具備する磁気抵抗効果素子において、前記第1および第2の磁性層の少なくとも一方の磁性層は、それを構成する結晶粒の最密面が等方分散していることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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