特許

J-GLOBAL ID：200903041392412267

半導体装置製造方法および半導体装置製造装置

発明者： 原 浩二 ,  伊藤 晴夫 ,  太田 勝啓
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-055876
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256216
出願日： 1997年03月11日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：

【要約】【課題】ウエハ上のパーティクル,金属等のコンタミネーションの除去力を向上させた半導体装置の製造方法および半導体製造装置を提供する。【解決手段】純水や複数の薬液を交互に、あるいは同時に被洗浄物に噴射あるいは噴霧する手段を備える。

請求項（抜粋）：

被洗浄物に純水または薬液を噴射あるいは噴霧して洗浄を行う半導体製造装置において、純水と1種類以上の薬液を独立に噴射あるいは噴霧する手段を備えたことを特徴とする半導体装置製造装置。

IPC (2件)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/306

FI (2件)：

H01L 21/304 341 N ,  H01L 21/306 R