特許
J-GLOBAL ID:200903041394405675

電圧非直線抵抗体素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 細田 益稔 ,  青木 純雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-198439
公開番号(公開出願番号):特開2004-040023
出願日: 2002年07月08日
公開日(公表日): 2004年02月05日
要約:
【課題】電圧非直線抵抗体素子において、素子のバリスタ電圧を低減できるようにし、かつ静電容量を低く抑え、エネルギー耐量を高く維持できるような構造を提する。【解決手段】電圧非直線抵抗体素子は、セラミック基体7、基体7の表面7aに設けられている第一の電極層11A、基体7の表面7aに設けられている第二の電極層11B、および電圧非直線材料6を備えている。第一の電極層11Aが第一の突出部3A、3Bを備えており、第二の電極層11Bが第二の突出部4A、4B、4Cを備えている。第一の突出部と第二の突出部との間に細長いギャップ9が形成されており、少なくともギャップ9が電圧非直線抵抗体材料6によって被覆されている。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
セラミック基体、前記セラミック基体の表面に設けられている第一の電極層、前記セラミック基体の前記表面に設けられている第二の電極層、および電圧非直線材料を備えている電圧非直線抵抗体素子であって、 前記第一の電極層が第一の突出部を備えており、前記第二の電極層が第二の突出部を備えており、前記第一の突出部と前記第二の突出部との間に細長いギャップが形成されており、少なくとも前記ギャップが前記電圧非直線抵抗体材料によって被覆されていることを特徴とする、電圧非直線抵抗体素子。
IPC (2件):
H01C7/10 ,  H01T1/16
FI (2件):
H01C7/10 ,  H01T1/16 G
Fターム (6件):
5E034CA08 ,  5E034CB04 ,  5E034CC02 ,  5E034DA02 ,  5E034DC01 ,  5E034DE05

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