特許

J-GLOBAL ID：200903041396533930

小型電源装置、その製造方法及び小型電源装置を搭載した半導体集積回路装置

発明者： 上田 大助 ,  片山 ▲琢▼磨 ,  玉井 誠一郎
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-279919
公開番号（公開出願番号）：特開2002-094105
出願日： 2000年09月14日
公開日（公表日）： 2002年03月29日
要約：

【要約】【課題】 半導体集積回路用の受光型電源装置を入射光が遮断されても電力供給が直ちに途絶えないようにし、また、入射光がなくても電力供給を行なえるようにする。【解決手段】 n型シリコンからなる半導体基板10の上部には、p型領域11が設けられている。半導体基板10上には、膜厚が1μm程度の酸化シリコンからなる絶縁膜12が形成されており、絶縁膜12上にはp型領域11を露出する開口部を介してアルミニウムからなるp側電極13が形成されている。絶縁膜12及びp側電極13上には、膜厚が約1μmの窒化シリコンからなるパッシベーション膜14が形成され、該パッシベーション膜14上には、発光波長が半導体基板10を構成するシリコンのエネルギーギャップに相当する波長よりも短い発光光を発し且つ蓄光性を有する蛍光体材料を含む発光層15が形成されている。

請求項（抜粋）：

pn接合面を持つp型領域とn型領域とを有する半導体基板と、前記半導体基板の上に形成され、発光波長が前記半導体基板のエネルギーギャップに相当する波長よりも短い発光光を発し且つ蓄光性を有する蛍光体材料を含む発光層と、前記p型領域と電気的に接続されたp側電極、及び前記n型領域と電気的に接続されたn側電極とを備えていることを特徴とする小型電源装置。

IPC (2件)：

H01L 31/052 ,  C09K 11/64 CPM

FI (2件)：

C09K 11/64 CPM ,  H01L 31/04 G

Fターム (16件)：

4H001CA02 ,  4H001XA08 ,  4H001XA13 ,  4H001XA38 ,  4H001YA66 ,  4H001YA68 ,  5F051AA02 ,  5F051AA16 ,  5F051BA05 ,  5F051BA11 ,  5F051CB12 ,  5F051CB21 ,  5F051DA03 ,  5F051FA06 ,  5F051HA13 ,  5F051JA20