特許

J-GLOBAL ID：200903041398040574

多室型基板処理装置

発明者： 石幡 彰 ,  大嶺 俊光 ,  佐藤 裕輔 ,  宇井 明生
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 保男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-071636
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275519
出願日： 1992年03月27日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：

【要約】【目的】 ハンドラ室に位置している時の基板を良好に保ち、高品質な薄膜を気相成長させることができる多室型基板処理装置を提供することを目的としている。【構成】 ロード・アンロード・チャンバ8、エッチングチャンバ9、オリフラチャンバ10、薄膜形成チャンバ11、測定チャンバ12が接続されているハンドラ室2内の上部に配設したノズル16から、ハンドラ室2内にパージガスを供給し、排気口17より排気することにより、ハンドラ室2内を常にクリーンにして基板15に粉塵等が付着することを防止することができる。

請求項（抜粋）：

複数の処理室が接続されたハンドラ室を備え、前記ハンドラ室を介して前記各処理室に基板の出入れを行って基板処理を実行する多室型基板処理装置において、前記ハンドラ室内にパージガスを供給する供給手段と、該供給手段によって前記ハンドラ室内に供給されたパージガスを排気する排気手段とを具備したことを特徴とする多室型基板処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/68 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/22

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭62-104036
  
• 特開昭62-181440
  
• 特開平3-190260