特許

J-GLOBAL ID：200903041402120421

2ポートRAMセル

発明者： ハーラン・トーレイ ,  デイル・アール・ビュークラー
出願人/特許権者： ヒューレット・パッカード・カンパニー
代理人 (1件)： 長谷川 次男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-193119
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097393
出願日： 1993年07月08日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：

【要約】【目的】 汎用のIC製造工程でコンパクトで、高速動作が可能なように製造できる2ポートRAMセルを提供することを目的とする。【構成】 第1,第2のPFETQ3,Q4に接続された第1,第2のNFETQ1,Q2とによりデータ記憶構成要素40を形成し、第1,第2の転送PFETQ7,Q8と第1,第2の転送NFETQ5,Q6をデータ記憶構成要素40に接続して各々第1,第2の読取り/書込みポートを形成し、第1,第2のPFETQ3,Q4と第1,第2の転送PFETQ7,Q8を基板のN-ウエルに形成する。第1,第2の読取り/書込みポートでのデータの読取り/書込み時には、第1,第2の読取り/書込みポートのゲート電位を逆の論理値にして行う。

請求項（抜粋）：

単一ビットデータを記憶するためのデータ記憶素子手段と、前記データ記憶素子手段からデータを読み取りかつ/又はデータ記憶素子手段にデータを書き込むための第1の差分ポート手段と、前記データ記憶素子手段からデータを読み取るか/又はデータ記憶素子手段にデータを書き込むための第2の差分ポート手段とからなり、前記第2の差分ポート手段は基板に形成された第1及び第2の転送PFETからなる基板に形成された2ポートRAMセル。

IPC (2件)：

H01L 27/11 ,  H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 27/10 381 ,  H01L 21/88 A