特許

J-GLOBAL ID：200903041403309161

半導体基材の作製方法

発明者： 市川 武史 ,  坂口 清文 ,  米原 隆夫
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-213150
公開番号（公開出願番号）：特開平5-036952
出願日： 1991年07月31日
公開日（公表日）： 1993年02月12日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 透明ガラス基体(光透過性基体)上に、結晶性が単結晶ウエハー並に優れたSi結晶層を得ることを目的とする。また、そのための、温度制御方法を提供する。【構成】 シリコン基体を多孔質化する工程と、該多孔質化したシリコン基体11上に、第1の温度で非多孔質シリコン単結晶層12を形成する工程と、該非多孔質シリコン単結晶層の表面を、光透過性ガラス基体13に貼り合わせる工程と、該貼り合わせた基体の前記多孔質シリコンを無電解湿式化学エッチングにより除去する多孔質シリコンの選択エッチング工程と、前記非多孔質シリコン単結晶層上に前記第1の温度より高い第2の温度で単結晶シリコン層14をエピタキシャル成長により形成する工程と、を有することを特徴とする半導体基材の作製方法。

請求項（抜粋）：

シリコン基体を多孔質化する工程と、該多孔質化したシリコン基体上に、第1の温度で非多孔質シリコン単結晶層を形成する工程と、該非多孔質シリコン単結晶層の表面を、光透過性ガラス基体に貼り合わせる工程と、該貼り合わせた基体の前記多孔質シリコンを無電解湿式化学エッチングにより除去する多孔質シリコンの選択エッチング工程と、前記非多孔質シリコン単結晶層上に前記第1の温度より高い第2の温度で単結晶シリコン層をエピタキシャル成長により形成する工程と、を有することを特徴とする半導体基材の作製方法。

IPC (2件)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/20