特許
J-GLOBAL ID：200903041409983204
半導体発光素子及び当該半導体発光素子を用いた光学装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中野 雅房
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-146588
公開番号（公開出願番号）：特開平5-315709
出願日： 1992年05月11日
公開日（公表日）： 1993年11月26日
要約：
【要約】【目的】 AlGaInP系の半導体発光素子において、素子抵抗を低減させ、微小径で発光させながら高出力を得る。【構成】 活性層14の上にp-AlGaInP上クラッド層15、p-AlGaAs拡散停止層16、n-AlGaAs電流阻止層17、p-AlGaAs導電層18及びp-GaAsコンタクト層19を積層し、コンタクト層19から拡散停止層16までZnを拡散させて電流通路領域21を形成する。電流通路領域21の中央領域は拡散停止層16まで達し、電流通路領域21の周辺領域は導電層18まで形成されていて中央領域よりも浅くなっている。
請求項（抜粋）：
活性層の上方にp型上クラッド層、n型電流阻止層、p型コンタクト層を備えた電流阻止構造を有し、p型不純物の導入により前記n型電流阻止層の一部を貫通する電流通路領域を形成された電流狭窄型の半導体発光素子において、前記活性層を含む主要構成部分にAlGaInP系材料を用い、前記n型電流阻止層にAlGaAs系材料を用いたことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (5件)：
H01S 3/18
, B41J 2/44
, G01C 3/06
, G06K 7/10
, H01L 33/00
