特許

J-GLOBAL ID：200903041410228231

半導体記憶装置の製造方法

発明者： 中田 義朗 ,  日比 紀孝 ,  久呉 俊介 ,  岡田 昌三 ,  小川 久 ,  岩井 弘尚
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-067218
公開番号（公開出願番号）：特開平6-283685
出願日： 1993年03月26日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：

【要約】【目的】 高集積化に優れた半導体記憶装置の製造方法を提供する。【構成】 半導体基板上にスイッチング用素子を形成し、このスイッチング用素子の一方の電極に接続される積層型電荷蓄積電極となるポリシリコン層3を形成し、粒径が0.2μm以下からなる単分散粒子4をこのポリシリコン層3上に均一に塗布し、この単分散粒子4をマスクに異方性エッチングを行い、電荷蓄積電極9の表面に柱状凹凸8を形成する。【効果】 電荷蓄積電極の表面積を大きくできるため大容量が期待でき、粒径の揃った単分散粒子を凹凸形成のマスクとして用いるため形状制御が容易で容量ばらつきの小さな電荷蓄積電極の形成が可能となる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に積層型電荷蓄積電極を形成する工程と、この積層型電荷蓄積電極上に単分散粒子を均一に塗布する工程と、この単分散粒子をマスクにして異方性エッチングを行う工程とを含む半導体記憶装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 27/108 ,  H01L 27/04