特許
J-GLOBAL ID：200903041411214552
真空処理装置及びそれを用いた成膜装置と成膜方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-161188
公開番号（公開出願番号）：特開平5-295543
出願日： 1992年06月19日
公開日（公表日）： 1993年11月09日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】真空中での基体の温度を正確に計測し、制御できる真空処理装置、この真空処理装置を応用した成膜装置、この成膜装置による成膜方法、基体温度の測定方法を提供する。【構成】真空処理装置1内の赤外線輻射温度計11,14,15により、基体10の輻射熱を測定し、輻射率を求め、温度校正ステージ5でシャッタ20と組合せた輻射率の校正を行った後、温度調整ステージ6で制御器13により所定の温度にした後、スパッタステージ7に搬送して成膜を行う。
請求項（抜粋）：
基体を環境温度に制御し、赤外線輻射率を測定するための温度校正ステージと;基体の輻射熱を測定する第1の赤外線輻射温度計と;前記第1の赤外線輻射温度計の出力から前記基体の既知の温度に基づいて輻射率を求め、前記第1の赤外線輻射温度計により前記基体の温度を正しく表示せしめるための赤外線感度補正値を演算する手段と;該ステージと同一ないしは異なる基体が置載されるステージと、この基体を所定の設定温度に加熱または冷却する手段と、前記基体に真空処理する手段とを備えた真空処理チェンバと;前記基体の輻射熱を測定する第2の赤外線輻射温度計と;前記第2の赤外線輻射温度計の出力から前記温度校正チェンバで求めた赤外線感度補正値に基づき真空処理チェンバ内に置かれた基体の真の温度を算出する手段と;上記各々のステージ上の基体上に近接して配設され、赤外線輻射温度計の測定波長に対して充分に鏡面である部材でその主面が構成されたシャッタ機構とを具備して成る真空処理装置。
IPC (7件)：
C23C 14/54
, B01J 19/08
, C23C 14/34
, G01J 5/00
, H01L 21/285
, H01L 21/66
, H01L 21/203
