特許

J-GLOBAL ID：200903041413117155

磁気センサー素子及び磁気センサー

発明者： 蓮沼 孝
出願人/特許権者： シチズン電子株式会社
代理人 (1件)： 浅川 哲
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2007000330
公開番号（公開出願番号）：WO2007-116583
出願日： 2007年03月29日
公開日（公表日）： 2007年10月18日
要約：

本発明は、基板と、この基板に設けられた磁界を発生する励磁パターンと、この励磁パターンに隣接して設けられた検出用磁性薄膜パターンと、この検出用磁性薄膜パターンに隣接して設けられた検出コイルパターンとを備えた直交型フラックスゲート磁気センサー素子である。この磁気センサー素子は、励磁パターン、検出用磁性薄膜パターン及び検出コイルパターンを基板上に設けることによって、磁気センサー素子を平坦状に形成することができ、また、発生する磁界の長軸方向の長さも短くなるので、素子自体の小型化及び薄型化が図られる。

請求項（抜粋）：

基板と、 該基板に設けられた磁界を発生する励磁パターンと、 該励磁パターンに隣接して設けられた検出用磁性薄膜パターンと、 該検出用磁性薄膜パターンに隣接して設けられた検出コイルパターンと、を備えている磁気センサー素子。

IPC (1件)：

G01R 33/04

FI (1件)：

G01R33/04

Fターム (5件)：

2G017AA02 ,  2G017AD42 ,  2G017AD43 ,  2G017AD46 ,  2G017AD47