特許

J-GLOBAL ID：200903041417519320

電界効果トランジスタおよびその製造方法

発明者： 茶円 勝洋
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 飯阪 泰雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-134155
公開番号（公開出願番号）：特開2002-329730
出願日： 2001年05月01日
公開日（公表日）： 2002年11月15日
要約：

【要約】【課題】 化合物半導体による半絶縁性基板内に生ずる空間電荷の移動、リーク電流によって動作の不安定化、特性の低下を招かない電界効果トランジスタおよびその製造方法を提供すること。【解決手段】 GaAs基板10に対し、ソース領域111 、ドレイン領域112 、n- チャネル領域12を形成し、n- チャネル領域12の下に埋め込み層13を形成した後、n- チャネル領域12の所定箇所に熱拡散領域13を形成してPN接合を設けると共にゲート電極を取り付けてトランジスタ部を設ける。続いて、トランジスタ部の下方にB+ イオンを注入して底面部素子分離領域141 を形成し、ソース領域111 、ドレイン領域112 の外側にB+ イオンを注入して側面部素子分離領域142 を形成する。

請求項（抜粋）：

半絶縁性基板上にn型チャネル層またはp型チャネル層を有する電界効果トランジスタにおいて、前記電界効果トランジスタが底面部および側面部を素子分離領域によって囲い込まれていることを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (5件)：

H01L 21/338 ,  H01L 21/337 ,  H01L 21/76 ,  H01L 29/808 ,  H01L 29/812

FI (4件)：

H01L 29/80 B ,  H01L 29/80 C ,  H01L 21/76 Z ,  H01L 21/76 R

Fターム (19件)：

5F032AC04 ,  5F032CA01 ,  5F032CA06 ,  5F032CA09 ,  5F032CA10 ,  5F032CA16 ,  5F032DA43 ,  5F102FA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD04 ,  5F102GJ05 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL05 ,  5F102GR09 ,  5F102GS02 ,  5F102GT03 ,  5F102HC10