特許
J-GLOBAL ID：200903041419012517
半導体級多結晶シリコンの製造方法とその装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
千葉 博史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-326976
公開番号（公開出願番号）：特開平5-139891
出願日： 1991年11月15日
公開日（公表日）： 1993年06月08日
要約：
【要約】【目的】 半導体級多結晶シリコンを製造する。【構成】 密閉反応炉の底部に設けたノズルから原料ガスを高温下の反応炉内に供給し、炉内に設けたシリコン棒に多結晶シリコンを析出させる半導体級多結晶シリコンの製造において、シリコン棒上部に向かって原料ガスを供給する上部用ノズルと、シリコン棒下部に向かって原料ガスを供給する下部用ノズルとを用いることにより、シリコン棒の上部および下部に供給される原料ガスの供給量を調整すると共にガス濃度の変化を抑え、表面が平滑で均一な太さの多結晶シリコン棒を製造する。【効果】 表面が平滑で形状不良のない大型の多結晶シリコンロッドを高い生産性を維持して製造することができる。
請求項（抜粋）：
密閉反応炉の底部に設けたノズルから原料ガスを高温下の反応炉内に供給し、炉内に設けたシリコン棒に多結晶シリコンを析出させる半導体級多結晶シリコンの製造において、シリコン棒上部に向かって原料ガスを供給する上部用ノズルと、シリコン棒下部に向かって原料ガスを供給する下部用ノズルとを用いることにより、シリコン棒の上部および下部に供給される原料ガスの供給量を調整すると共にガス濃度の変化を抑え、表面が平滑で均一な太さの多結晶シリコン棒を製造することを特徴とする半導体級多結晶シリコンの製造方法。
IPC (2件)：
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