特許

J-GLOBAL ID：200903041419118226

半導体装置

発明者： 中野 隆
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 西村 征生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-197422
公開番号（公開出願番号）：特開2003-017606
出願日： 2001年06月28日
公開日（公表日）： 2003年01月17日
要約：

【要約】【課題】 シミュレーションにより得られた簡単な設計指針に基づいて設計され、特別な部品を用いることなく、容易に放射電界強度の規定値を満たすように製造することができる半導体装置を提供する。【解決手段】 グラウンド導電層11と、グラウンド導電層11上に絶縁層12を介して設けられた帯状配線13a、13bと、グラウンド導電層11上に直に、又は絶縁層12を介して載置された半導体チップ16と、帯状配線13a、13bと半導体チップ16との間で電気的接続をとる電気導線15a、15bとを有し、帯状配線13a、13bの長さLFと電気導線15a、15bの長さLWの総長LT(=LF+LW)は、帯状配線13a、13b又は電気導線15a、15bの単位長さ当りの放射電界強度をα(V/m2)とし、許容最大放射電界強度をβ(V/m)とすると、LT≦β/αを満たしていることを特徴としている。

請求項（抜粋）：

帯状配線と、該帯状配線と半導体チップとの間を橋渡しして、前記帯状配線と前記半導体チップとの間で電気的接続をとる接続導線とを有し、前記帯状配線の長さLFと前記接続導線の長さLWの総長LT(=LF+LW)は、前記帯状配線又は前記接続導線の単位長さ当りの放射電界強度をα(V/m2)とし、許容最大放射電界強度をβ(V/m)とすると、LT≦β/αを満たしていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/02 ,  H01L 23/12 301 ,  H01L 23/50

FI (3件)：

H01L 23/02 H ,  H01L 23/12 301 C ,  H01L 23/50 X

Fターム (2件)：

5F067AA01 ,  5F067CD00