特許

J-GLOBAL ID：200903041420116555

半導体装置及びその製造方法

発明者： 穂苅 澄夫 ,  坂内 敏
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 飯阪 泰雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-316529
公開番号（公開出願番号）：特開2003-124392
出願日： 2001年10月15日
公開日（公表日）： 2003年04月25日
要約：

【要約】【課題】 ウェーハ状態からの切断面がそのまま側面となるような半導体装置において、その側面の保護を図って信頼性を高めた半導体装置及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 側面で、樹脂層20が、絶縁層5と保護膜4を覆ってウェーハ2にまで延びている半導体装置11は、個別の半導体装置に分離するダイシング位置に、第1のダイシングソー14で、表面側から、保護膜4よりも深い位置まで切り溝16を形成した後、切り溝16を埋めるように樹脂層20を形成し、切り溝16の幅よりも刃幅が小さい第2のダイシングソー15を用いて、切り溝16の位置で樹脂層20及びウェーハ2を切断することによって得られる。

請求項（抜粋）：

表面に半導体集積回路が形成された半導体ウェーハに、前記半導体集積回路を保護する保護膜と、該保護膜の上に形成される絶縁層と、該絶縁層の上に形成され前記半導体集積回路と接続される配線層と、該配線層に接続するボール状電極端子と、前記配線層を覆う樹脂層とが形成された状態で、切断手段により切断されて個別に分離され、前記切断手段で切断された切断面が側面となる半導体装置において、前記側面では、前記樹脂層が、前記絶縁層と前記保護膜とを覆って前記半導体ウェーハにまで延びていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 23/12 501 ,  H01L 21/301

FI (2件)：

H01L 23/12 501 P ,  H01L 21/78 Q