特許

J-GLOBAL ID：200903041426165264

半導体装置の熱処理装置及び熱処理方法

発明者： 山本 明人 ,  奥村 勝弥
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-275373
公開番号（公開出願番号）：特開平5-114596
出願日： 1991年10月23日
公開日（公表日）： 1993年05月07日
要約：

【要約】【目的】シリコン基板と水分、酸素または二酸化シリコンが反応し、蒸気圧の高いシリコン酸化物が生成されることによって起こるシリコン基板のエッチング現象を抑制するために、予め熱処理雰囲気中にシリコン酸化物を添加しておくことを最も主要な特徴とする。【構成】反応管1 にはガスの導入口2 と排出口3 が設けられている。反応管1 内の反応室4 において、ボート5 はシリコン基板6 をそれぞれ積載し、収納する構成になっている。反応管1 は外部の加熱部8 によって加熱されるようになっている。反応管1 内上部の仕切り板9 には無数の貫通口10が形成され、仕切り板9で隔てられた反応管1 内部には、シリコン酸化物蒸気発生源13が備えられている。

請求項（抜粋）：

入出口を有し、内部にシリコン基板が収納される機構を有する反応管と、前記反応管内にシリコン酸化物が積極的に導入されるシリコン酸化物蒸気発生手段と、前記シリコン酸化物を含む雰囲気中で前記シリコン基板が熱処理される処理手段とを具備したことを特徴とする半導体装置の熱処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/324