特許

J-GLOBAL ID：200903041428787580

薄膜太陽電池の製造方法

発明者： 西岡 孝 ,  山田 巧 ,  川上 剛司 ,  山田 武 ,  中田 穣治
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 吉田 精孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-239445
公開番号（公開出願番号）：特開平10-093122
出願日： 1996年09月10日
公開日（公表日）： 1998年04月10日
要約：

【要約】【課題】 シリコンの使用量が少なくかつ一定の光電変換効率を有する薄膜太陽電池を安価に製造し得る方法を提供すること。【解決手段】 単結晶もしくは粒径が著しく大なる多結晶のインゴットあるいはウェハからなるSi基板1に水素(H)イオン2の注入を行い、その上に第2の基板3を接着し、さらに適度な熱処理を施すことにより、Hイオンの注入部位においてSi基板1より所望の厚さの薄膜Si結晶4を剥離させ、これを太陽電池素子を構成する主要な材料もしくはその一部とする。

請求項（抜粋）：

シリコン基板の主面にイオン注入を行う工程と、該シリコン基板の主面上の少なくとも一部に第2の基板を接着する工程と、前記シリコン基板及び第2の基板からなる構成物を熱処理する工程と、前記シリコン基板からの剥離により、7μm以上の厚さの薄膜シリコン結晶を前記第2の基板上に獲得する工程とからなることを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 31/04 ,  C30B 29/06 ,  C30B 31/22 ,  H01L 21/265

FI (4件)：

H01L 31/04 X ,  C30B 29/06 C ,  C30B 31/22 ,  H01L 21/265 Q