特許

J-GLOBAL ID：200903041437541225

半導体光変調器

発明者： 石川 光映 ,  菊池 順裕 ,  都築 健 ,  柴田 泰夫 ,  八坂 洋 ,  石橋 忠夫
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社 ,  NTTエレクトロニクス株式会社
代理人 (3件)： 光石 俊郎 ,  田中 康幸 ,  松元 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-201473
公開番号（公開出願番号）：特開2009-037013
出願日： 2007年08月02日
公開日（公表日）： 2009年02月19日
要約：

【課題】電気サージによる変調領域の破壊を防止し、サージ耐性を向上した半導体光変調器を提供する。【解決手段】半導体基板上に形成され、電圧もしくは電流により光変調を行う半導体光変調器において、前記光変調に供する電極3,5間を電気的に接続しかつ電気抵抗として機能する高抵抗領域6(電気的接続機能部)を備える。あるいは、前記光変調に供する電極間を電気的に接続しかつ直列接続された電気抵抗体と電気容量体として機能する高抵抗領域及び電気容量領域(電気的接続機能部)を備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成され、電圧もしくは電流により光変調を行う半導体光変調器であって、前記光変調に供する電極間を電気的に接続する機能を有する電気的接続機能部を前記半導体基板上に備え、この電気的接続機能部が電気抵抗体として機能することを特徴とする半導体光変調器。

IPC (1件)：

G02F 1/017

FI (1件)：

G02F1/017 503

Fターム (10件)：

2H079AA02 ,  2H079AA05 ,  2H079AA12 ,  2H079BA01 ,  2H079BA03 ,  2H079DA16 ,  2H079EA05 ,  2H079EA07 ,  2H079EB04 ,  2H079HA21