特許

J-GLOBAL ID：200903041438758511

半導体装置の製造方法

発明者： 東野 太栄
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 鳥居 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-183302
公開番号（公開出願番号）：特開平5-006902
出願日： 1991年06月27日
公開日（公表日）： 1993年01月14日
要約：

【要約】【目的】 この発明は、ゲート電極に対するソース・ドレイン両電極の位置関係が2種類あるようなFETにおいて、非対称なn+不純物層を容易に製造できる方法を提供することを目的とする。【要約】ダミーゲートとして使用する第1のマスクパターン16-1のドレイン側に近接して、第2のマスクパターン16-2を形成した後、n+不純物層17を形成する不純物を斜めイオン注入法で注入する。その後、このマスク材をエッチングして第2のマスクパターン16-2をエッチオフした後、残った第1のマスクパターンを反転してゲート電極を形成する。

請求項（抜粋）：

ダミーゲートとして使用する第1のマスクパターンのドレイン側に近接して第2のマスクパターンを形成した後、n+不純物層を形成する不純物を斜めイオン注入し、その後、このマスク材をエッチングしてダミーゲートの寸法を短くするとともに、前記第2のマスクパターンをエッチオフし、残った第1のマスクパターンを反転してゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/265

FI (3件)：

H01L 29/80 F ,  H01L 21/265 C ,  H01L 21/265 V