特許

J-GLOBAL ID：200903041440468563

3族窒化物化合物半導体発光素子

発明者： 浅見 慎也 ,  小池 正好
出願人/特許権者： 豊田合成株式会社
代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-150272
公開番号（公開出願番号）：特開平9-312416
出願日： 1996年05月21日
公開日（公表日）： 1997年12月02日
要約：

【要約】【課題】青色発光素子の発光強度の増加及び素子寿命の長期化【解決手段】In0.20Ga0.80N から成る発光層5の上に、膜厚約10nmMgドープのp-Al0.08Ga0.92N のクラッド層71、膜厚約35nm,Mgドープのp-GaN の第1コンタクト層72、膜厚約5 nmMgドープのp + -GaNの第2コンタクト層73が形成されている。クラッド層71及びコンタクト層72、73は総合厚さが10nm〜150nm と従来の発光ダイオードのそれらの総合厚さに比べて1/30〜1/2 に薄く形成されている。発光層5は成長後に発光層5の成長温度以上の温度にさらされる時間が1.3 〜20分と、従来の発光ダイオードに比べて1/30〜1/2 と短くすることができる。この結果、発光層のインジウムのクラッド層への拡散や、窒素の蒸発が抑制されと共にクラッド層及びコンタクト層中の不純物原子の発光層への拡散も防止されるために、発光層の結晶性を改善することができた。

請求項（抜粋）：

3族窒化物半導体から成る発光層と発光層の上に形成されるクラッド層とを有する発光素子において、前記発光層を少なくともインジウム(In)を含む3族窒化物半導体で構成し、前記発光層の形成後に形成される3族窒化物半導体から成るクラッド層及びその上に形成されるコンタクト層の総合厚さを10〜150nm としたことを特徴とする3族窒化物半導体発光素子。