特許
J-GLOBAL ID：200903041440904835
気相成長方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-232446
公開番号（公開出願番号）：特開平6-084802
出願日： 1992年08月31日
公開日（公表日）： 1994年03月25日
要約：
【要約】【目的】 配線層の形成された半導体基板表面上に、下地膜種依存性がなく、かつ平坦性にすぐれた酸化膜を形成すること。【構成】 半導体基板表面にオゾンおよびテトラエチルオルソシリケートを用いてシリコン酸化膜を常圧気相成長法により形成する方法において、前記シリコン酸化膜の形成中にオゾン流量コントローラ24によりオゾン濃度を変化させる。
請求項（抜粋）：
半導体基板表面にオゾンおよびテトラエチルオルソシリケートを用いてシリコン酸化膜を常圧気相成長法により形成する方法において、前記シリコン酸化膜の形成中にオゾン濃度を変化させることを特徴とする気相成長方法。
IPC (2件)：
H01L 21/205
, H01L 21/285
