半導体レーザ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-035525
公開番号（公開出願番号）：特開平7-245447
出願日： 1994年03月07日
公開日（公表日）： 1995年09月19日
要約：

【要約】【目的】長波長系半導体レーザにおいて、ドーパントの活性層への拡散を防止して特性の向上をはかることを目的とする。【構成】p-InPクラッド層6とi-InP拡散阻止層8との間にInPよりドーパントのZnの拡散速度が遅い、InGaAsあるいはInGaAsPよりなる拡散阻止層7を形成することでZnの活性層への拡散を防止する。また、上記拡散阻止層7がp-InPクラッド層6とi-InP拡散阻止層8との間で形成する量子井戸の厚さが、その準位間エネルギーがレーザの発振波長のエネルギーより大きくなるようにする。これにより、拡散阻止層7でのレーザ光の吸収を防止して、特性の悪化を防ぐ。また、p-InPクラッド層のZnの濃度を上げることにより温度特性を向上させる。

請求項（抜粋）：

InP系化合物半導体からなるp型及びn型クラッド層とi-InPドーパント拡散阻止層、およびノンドープのInGaAs,InGaAsPにより構成されるバルク型もしくは多重量子井戸型の活性層を含む半導体レーザにおいて、前記p型クラッド層とi-InPドーパント拡散阻止層との間に、InGAasもしくはInGaAsPよりなるドーパント拡散阻止層を有することを特徴とする半導体レーザ。

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