特許

J-GLOBAL ID：200903041445769413

半導体装置およびその製造方法

発明者： 伊藤 護
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 梶原 辰也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-235237
公開番号（公開出願番号）：特開平6-061365
出願日： 1992年08月11日
公開日（公表日）： 1994年03月04日
要約：

【要約】【目的】 パッケージ部の高周波損失を低減する。【構成】 ペレット2の各電極パッドとパッケージ5におけるベース41の各インナリード3との間がバンプ接続部4によって、電気的かつ機械的に接続されている。【効果】 ペレット2の各電極パッドとベース41の各インナリード3との間のインダクタンスを低減させることができるため、パッケージ5における高周波損失を低減させることができる。その結果、半導体装置全体としてのNFをきわめて効果的に低減させることができる。

請求項（抜粋）：

高周波帯域で使用されるトランジスタ回路が作り込まれている半導体ペレットと、この半導体ペレットの外方に配線され、半導体ペレットの各電極パッドにそれぞれ電気的に接続されている複数本のインナリードと、半導体ペレットおよびインナリード群を封止するパッケージとを備えており、前記インナリード群がパッケージのベース上にメタライズされている半導体装置において、前記半導体ペレットが前記ベースに、半導体ペレットの前記各電極パッドと前記各インナリードとの間に形成されたバンプ接続部によって、電気的かつ機械的に接続されていることを特徴とする半導体装置。