特許
J-GLOBAL ID：200903041446091046
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-298427
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151416
出願日： 1992年11月09日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：
【要約】【目的】低温流動絶縁膜、およびトレンチアイソレーション用流動埋込絶縁膜とその製造方法を提供する。【構成】流動絶縁膜、またはトレンチアイソレーション用流動埋込絶縁膜のリフロー雰囲気の少なくとも一部に、アンモニアまたは、アンモニアに水蒸気を添加する。【効果】より微細な素子の形成を可能とし、従来に比べ、ウェットエッチング速度を一桁近く小さくすることができるので、埋込絶縁膜の過剰エッチングを防止して段差の発生を抑制し、配線の断線,短絡を防止することができる。
請求項（抜粋）：
硼素(B),燐(P),砒素(As),ゲルマニウム(Ge)のうちのいずれかの不純物、又はこれらのうちの二つ以上の不純物を含んだSiO2 膜を熱処理する工程を有する半導体装置の製造方法において、少なくともその雰囲気中にアンモニア(NH3)ないしアンモニア(NH3)と水蒸気(H2O)が含まれていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/316
, H01L 27/108
