特許
J-GLOBAL ID：200903041447386236
荷重変換器
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福岡 正明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-293306
公開番号（公開出願番号）：特開平8-210930
出願日： 1985年03月28日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：
【要約】【課題】 電子秤等に用いる荷重変換器として、安定性が良くてゲージ率が高く、直線性等も良いひずみゲージを用いると共に、該ひずみゲージと論理回路との誤配線もなく、しかもひずみ検出回路がコンパクトに構成された荷重変換器を得ることを課題とする。【解決手段】 複数の金属の内、少なくとも一つの金属をイオン化処理して残りの金属と共に直接起歪体1上に射突させることにより、その組成比と物性とを制御して、該起歪体1上に上記複数の金属でなる薄膜11を形成し、該膜によりひずみ-電気抵抗効果に基づいてひずみを検知するひずみ検知部12を構成すると共に、単一の金属または複数の金属の内の少なくとも一つの金属をイオン化処理して直接起歪体1上に射突させることにより、該起歪体1上に上記単一または複数の金属でなる薄膜11を形成し、該膜により論理回路部13を構成する。
請求項（抜粋）：
基材上にひずみ-電気抵抗効果に基づいてひずみを検知するひずみ検知部と論理回路部とが形成された荷重変換器であって、複数の金属の内、少なくとも一つの金属をイオン化処理して残りの金属と共に直接基材上に射突させることにより、その組成比と物性とを制御して基材上に上記複数の金属でなる薄膜を形成し、該膜により上記ひずみ検知部を構成すると共に、単一の金属をイオン化処理して直接基材上に射突させることにより、基材上に上記単一の金属でなる薄膜を形成し、該膜により上記論理回路部を構成したことを特徴とする荷重変換器。
IPC (2件)：
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