特許
J-GLOBAL ID：200903041451302632
半導体SHGレーザー装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-082756
公開番号（公開出願番号）：特開平9-275242
出願日： 1996年04月04日
公開日（公表日）： 1997年10月21日
要約：
【要約】【課題】 効率良く短波長の光を出力することができ、しかも小型化を達成することができる半導体SHGレーザー装置を提供する。【解決手段】 GaAs基板1の上に、多層反射鏡層2を積層し、この多層反射鏡層2の上に光を発生する活性層3を積層し、この活性層3の上に多層反射鏡層4を積層して第1および多層反射鏡層4と光を発生する活性層3とでレーザー共振器を構成している。また、レーザー共振器から出射するレーザー光の波長の2分の1の波長の光に対して吸収がなくレーザー光をレーザー光の波長の2分の1の波長の光に変換する疑似位相整合層7を多層反射鏡層4の上に積層している。さらに、レーザー共振器から出射するレーザー光の波長の2分の1の波長の光に対して吸収がなくレーザー光を反射する多層反射鏡層8を疑似位相整合層7の上に積層している。
請求項（抜粋）：
半導体基板の上に、屈折率の異なる2種類の半導体薄層の多層積層構造からなる第1の反射鏡層を積層し、この第1の反射鏡層の上に光を発生する半導体層を積層し、この半導体層の上に屈折率の異なる2種類の半導体薄層の多層積層構造からなる第2の反射鏡層を積層して前記第1および第2の反射鏡層と前記光を発生する半導体層とでレーザー共振器を構成し、前記レーザー共振器から出射するレーザー光の波長の2分の1の波長の光に対して吸収のない屈折率の異なる2種類の半導体薄層の多層積層構造からなり前記レーザー光を前記レーザー光の波長の2分の1の波長の光に変換する波長変換層を前記第2の反射鏡層の上に積層し、前記レーザー共振器から出射するレーザー光の波長の2分の1の波長の光に対して吸収のない屈折率の異なる2種類の半導体薄層の多層積層構造からなり前記レーザー光を反射する第3の反射鏡層を前記波長変換層の上に積層したことを特徴とする半導体SHGレーザー装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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