特許

J-GLOBAL ID：200903041457823804

半導体装置の製造方法

発明者： 石井 博明
出願人/特許権者： 東光株式会社
代理人 (1件)： 大田 優
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-055792
公開番号（公開出願番号）：特開平11-238664
出願日： 1998年02月20日
公開日（公表日）： 1999年08月31日
要約：

【要約】【課題】 2層配線のように非透明な二層の金属膜を半導体基板上に形成する場合に同じアラインメントマークを利用可能な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板1と金属膜5を絶縁する平坦加工膜3を形成した後、アラインメントマーク2上を含むその近傍の平坦加工膜3を除去して第1層目の金属膜5を形成する。そして、アラインメントマーク2上の金属膜5の突出部分6を第2層目の金属膜を形成する際のアラインメントマークとして代用する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に2層以上の非透明膜を有する半導体装置の製造方法において、アラインメントマークを含めた半導体基板上に平坦化加工膜を形成し、アラインメントマーク上を含むその近傍の平坦化加工膜を除去した後に第1層目の非透明膜を形成し、該マーク上の該非透明膜の突出部分を2層目の非透明膜を形成する際のアラインメントマークとして代用することを特徴とする半導体装置の製造方法。