特許
J-GLOBAL ID：200903041459487143
GTOサイリスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
富村 潔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-280601
公開番号（公開出願番号）：特開平6-204460
出願日： 1993年10月13日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：
【要約】【目的】 GTOサイリスタをターンオフの際の電流がリング状のゲート接触部の外側に位置するエミッタリングに集中するように構成して、個々のエミッタの過負荷を回避する。【構成】 円形の半導体ブロック1と、その陰極側に互いに同心のリング3、4、5、6の形で長軸が半導体ブロックに放射状に位置するように配置されている多数のストリップ状のエミッタ領域8と、エミッタ領域に隣接する陰極側のベース領域と、エミッタ領域8を囲んでおり電気的に陰極側のベース領域と接続されているゲート電極2と、2つの同心リングの間でゲート電極2と接続されているリング状のゲート接触部7とを有するGTOサイリスタにおいて、ターンオフの際に最も外側のリング3の外縁とゲート接触部7との間の電圧降下を最も内側のリング6の内縁とゲート接触部7との間の電圧降下よりも少なくとも20%だけ大きくする。
請求項（抜粋）：
円形の半導体ブロック(1)と、その陰極側に互いに同心のリング(3、4、5、6)の形で長軸が半導体ブロック(1)に放射状に位置するように配置されている多数のストリップ状のエミッタ領域(8)と、エミッタ領域に隣接する陰極側のベース領域と、エミッタ領域を囲んでおり電気的に陰極側のベース領域と接続されているゲート電極(2)と、2つの同心のリングの間でゲート電極(2)と接続されているリング状のゲート接触部(7)とを有するGTOサイリスタにおいて、ターンオフの際に最も外側のエミッタリング(3)の外縁とゲート接触部(7)との間の電圧降下を最も内側のエミッタリング(6)の内縁とゲート接触部(7)との間の電圧降下よりも少なくとも20%だけ大きくすることを特徴とするGTOサイリスタ。
引用特許：
前のページに戻る
