特許

J-GLOBAL ID：200903041459508051

電気的接続部形成方法、複数のチェンバーを有する処理装 置及び半導体装置の製造方法

発明者： 佐藤 淳一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-183429
公開番号（公開出願番号）：特開平8-288294
出願日： 1991年06月28日
公開日（公表日）： 1996年11月01日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】必ずしもTiN等の密着層を形成しなくても安定で信頼性の高い金属系材料層を形成でき、よって開孔部等の微細化に対応でき、密着層についてのオーバーエッチングに際しての技術上の問題点もなく、かつ生産性高く製造が可能である電気的接続部形成方法を提供する。【構成】第1の金属系材料部分1上に層間膜2を形成し、第1の金属系材料部分1上において層間膜2に開孔部3を形成し、しかる後に全面的に第2の金属系材料4を形成し、エッチバックして、開孔部3のみに第2の金属系材料4を選択的に残す電気的接続部形成方法において、第2の金属系材料4を形成後、第2の金属系材料2を形成したチェンバーとゲートバルブを介して隣接したエッチバックチェンバーで連続的に該第2の金属系材料4のエッチバックを行う(あるいは更に第3の金属系材料で上層配線を形成する)電気的接続部形成方法。

請求項（抜粋）：

第1の金属系材料部分上に層間膜を形成し、前記第1の金属系材料部分上において前記層間膜に開孔部を形成し、しかる後に全面的に第2の金属系材料を形成し、エッチバックして、前記開孔部のみに第2の金属系材料を選択的に残す電気的接続部形成方法において、前記第2の金属系材料を形成後、前記第2の金属系材料を形成したチェンバーとゲートバルブを介して隣接したエッチバックチェンバーで連続的に該第2の金属系材料のエッチバックを行うことを特徴とする電気的接続部形成方法。

IPC (7件)：

H01L 21/3213 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/68

FI (7件)：

H01L 21/88 D ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/02 Z ,  H01L 21/28 D ,  H01L 21/28 301 T ,  H01L 21/68 A ,  H01L 21/302 F