アクティブマトリックス型液晶表示装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤巻正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-189873
公開番号（公開出願番号）：特開2003-005215
出願日： 2001年06月22日
公開日（公表日）： 2003年01月08日
要約：

【要約】【課題】長期にわたって良好な画質を得ることができるアクティブマトリックス型液晶表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】透明基板上にTFT及びパッシベーション膜を形成した後に、パッシベーション膜にアニールを施す。オン電圧Von及びオフ電圧Voffを固定した場合、実線で示すパッシベーション膜にアニールを施したものでは、TFT特性がほとんど変化しないが、破線で示すアニールを施さないものでは、TFT特性の変動に伴ってオン電圧Von時のドレイン電流が著しく低下している。このことは、アニールを施さないものでは、オン抵抗が著しく上昇していることを意味する。

請求項（抜粋）：

透明基板上に薄膜トランジスタを形成する工程と、前記透明基板上に前記薄膜トランジスタを覆うパッシベーション膜を形成する工程と、前記パッシベーション膜に前記薄膜トランジスタのソース電極まで達する第1の開口部を形成する工程と、前記第1の開口部を介して前記ソース電極に接続される画素電極を前記パッシベーション膜上に形成する工程と、を有するアクティブマトリックス型液晶表示装置の製造方法において、前記パッシベーション膜を形成する工程の後に、前記パッシベーション膜にアニールを施す工程を有することを特徴とするアクティブマトリックス型液晶表示装置の製造方法。

IPC (6件)：

G02F 1/1368 , G09F 9/00 338 , G09F 9/30 338 , G09F 9/35 , H01L 21/336 , H01L 29/786

FI (6件)：

G02F 1/1368 , G09F 9/00 338 , G09F 9/30 338 , G09F 9/35 , H01L 29/78 619 A , H01L 29/78 616 K

Fターム (66件)：

2H092HA04 , 2H092HA06 , 2H092JA24 , 2H092JA46 , 2H092JB56 , 2H092JB57 , 2H092KA18 , 2H092KB04 , 2H092KB24 , 2H092KB25 , 2H092MA05 , 2H092MA13 , 2H092MA25 , 2H092NA07 , 2H092NA22 , 2H092NA23 , 2H092NA24 , 2H092NA28 , 5C094AA31 , 5C094BA03 , 5C094BA43 , 5C094CA19 , 5C094CA24 , 5C094DA13 , 5C094EA04 , 5C094EA07 , 5C094HA08 , 5F110AA03 , 5F110AA14 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE45 , 5F110FF03 , 5F110FF29 , 5F110GG02 , 5F110GG15 , 5F110GG24 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK33 , 5F110HL03 , 5F110HL06 , 5F110HL07 , 5F110HL11 , 5F110HL14 , 5F110HL23 , 5F110HL26 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN35 , 5F110NN36 , 5F110NN40 , 5G435AA14 , 5G435BB12 , 5G435CC09 , 5G435CC12 , 5G435KK05 , 5G435KK09 , 5G435KK10 , 5G435LL07

引用特許：

審査官引用 (5件)

薄膜トランジスタ及びその製造方法及びそれを備えた液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-295677 出願人：富士通株式会社
半導体装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-176127 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
表示用基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-166044 出願人：ソニー株式会社

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