特許
J-GLOBAL ID：200903041465861219
ウェハ・レベル・パッケージングの方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
山川 政樹
, 山川 茂樹
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-538928
公開番号（公開出願番号）：特表2009-515338
出願日： 2006年10月25日
公開日（公表日）： 2009年04月09日
要約：
MEMS、又はその他のデバイスをパッケージングする、ウェハ・レベル・パッケージングの方法である。いくつかの実施形態においては、まず、通常の厚さのMEMSウェハが、通常の厚さのキャップ・ウェハに接合され、それに続いて、MEMSウェハの裏面が薄くされる。この後では、接合されたウェハ積層体、及び気密実装されたMEMSデバイスのキャッピングは、依然として、さらに加工するのに十分に強固である。これに基づいて、薄くされた基板上に貫通ビアを容易に形成することができ、引き出されるべき領域(たとえば、金属パッド/電極、高度にドープされたシリコンなど)で停止させることができる。これが工程の最終の面であるので、ビアは部分的に充填することができる。ビアが硬い金属で完全に充填されない限り、厚く金属で被覆されパターン形成されたビアでさえも、生じ得る熱応力を緩和するためのずっと大きな空間がある。様々な実施形態が、開示される。
請求項（抜粋）：
ウェハ・レベル・パッケージングの方法であって、
第1の側の上に、デバイスと電気的に接触する複数の導電性領域を有する基板であって、ウェハ・サイズの前記基板の前記第1の側の上のデバイスを覆うように、キャップ・ウェハを接合するステップと、
前記導電性領域を露出するように、前記基板の第2の側から、前記基板を通してビアを形成するステップと、
前記基板の第2の側から、それぞれの前記ビアを通じて、それぞれの前記導電性領域と電気的に接触するように、それぞれパターン形成された金属層により各前記ビアを覆うステップと、
前記ウェハ・レベル・パッケージを、ダイシングするステップと
を含む方法。
IPC (7件)：
H01L 23/12
, H01L 23/02
, H01L 23/08
, H01L 23/14
, H01L 23/10
, H01L 21/304
, B81C 3/00
H01L23/12 L
, H01L23/02 B
, H01L23/08 Z
, H01L23/14 S
, H01L23/12 501P
, H01L23/10 Z
, H01L23/10 A
, H01L23/02 D
, H01L21/304 631
, B81C3/00
3C081AA01
, 3C081BA30
, 3C081BA32
, 3C081CA05
, 3C081CA14
, 3C081CA15
, 3C081CA17
, 3C081CA19
, 3C081CA20
, 3C081CA21
, 3C081CA32
, 3C081CA42
, 3C081DA03
, 3C081DA06
, 3C081DA25
, 3C081DA27
