特許

J-GLOBAL ID：200903041473407438

強誘電性液晶表示素子

発明者： 野中 敏章 ,  山口 英将 ,  李 継 ,  武市 彩子
出願人/特許権者： ヘキストインダストリー株式会社
代理人 (1件)： 湯浅 恭三 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-052781
公開番号（公開出願番号）：特開平8-245962
出願日： 1995年03月13日
公開日（公表日）： 1996年09月24日
要約：

【要約】【目的】 注入ムラや配向ムラ、および特性のバラツキの少ない強誘電液晶表示素子を提供すること、および、自発分極の大きい強誘電性液晶材料で問題であったツイスト配向、しきい値電圧の非対称性、焼き付き等を抑制し、高品位で信頼性の高い、高速化が可能な強誘電性液晶表示素子を提供すること。【構成】 電極基板上に形成された一対の配向膜により強誘電性液晶を挟持した強誘電性液晶表示素子において、一方または両方の配向膜が斜方蒸着された無機化合物配向膜であって、少なくとも一方の該無機化合物配向膜表面の全体にわたって、イオンをとりこむことが可能な化合物が均一に吸着されていることを特徴とする強誘電性液晶表示素子。

請求項（抜粋）：

電極基板上に形成された一対の配向膜により強誘電性液晶を挟持した強誘電性液晶表示素子において、一方または両方の配向膜が斜方蒸着された無機化合物配向膜であって、少なくとも一方の該無機化合物配向膜表面の全体にわたって、イオンをとりこむことが可能な化合物が均一に吸着されていることを特徴とする強誘電性液晶表示素子。

IPC (4件)：

C09K 19/54 ,  C09K 19/58 ,  G02F 1/13 500 ,  G02F 1/141

FI (4件)：

C09K 19/54 Z ,  C09K 19/58 ,  G02F 1/13 500 ,  G02F 1/137 510