特許
J-GLOBAL ID:200903041474567951
太陽電池およびその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
小川 勝男
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-249184
公開番号(公開出願番号):特開平6-104463
出願日: 1992年09月18日
公開日(公表日): 1994年04月15日
要約:
【要約】【目的】 高効率の太陽電池を実現する。【構成】 半導体基板上p-n接合を有するポーラス体をに形成する。【効果】 ポーラス体を用いたことにより、その大きさや形状が吸収係数や光閉じ込め率を上げ、キャリアの移動度を高めるため、光電変換効率を高くすることができる。
請求項(抜粋):
多孔質体を用いたことを特徴とする太陽電池。
引用特許:
審査官引用 (3件)
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特開平3-083339
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多孔質シリコン太陽電池
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-345710
出願人:住友電気工業株式会社
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太陽電池及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-217168
出願人:キヤノン株式会社
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