特許

J-GLOBAL ID：200903041482937334

光起電力装置及びその製造方法

発明者： 能口 繁 ,  佐野 景一 ,  岩多 浩志
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-068370
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275725
出願日： 1992年03月26日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：

【要約】【目的】 半導体からなる光起電力装置において、それら半導体界面で生じる光キャリアの再結合による損失を低減し得る光起電力装置及びその製造方法に関する。【構成】 光電変換層であるp型非晶質シリコンカーバイド膜(3p)と光活性層(3i)との間に微結晶シリコンカーバイド膜をバッファ層(3b)として使用したことにある。

請求項（抜粋）：

透光性基板上に、透明導電膜と、p型非晶質シリコンカーバイト膜とバッファ層と光活性層とn型半導体層とから成る光電変換層と、裏面金属膜とを順次形成されて成る光起電力装置に於て、前記バッファ層を微結晶シリコンカーバイド膜としたことを特徴とする光起電力装置。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-218175
  
• 特開平4-065120
  
• 特開平2-177371