特許

J-GLOBAL ID：200903041484593837

積層配線のドライエッチング方法

発明者： 秋庭 波里
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 高橋 光男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-056164
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263425
出願日： 1994年03月25日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：

【要約】【目的】 W層上にAl系金属層が形成された、マイグレーション耐性に優れた積層配線を、無機材料系マスクを用いて残渣やパーティクル汚染の発生を伴わずに異方性エッチングする。【構成】 Al系金属層5を塩化イオウ系ガスでエッチング後、この後高融点金属層4をフッ化イオウ系ガスに切り替えてパターニングする。N2 等N系ガスを添加してもよい。【効果】 イオウまたはポリチアジルからなる側壁保護膜10を形成しながらエッチングするので、パターン側面をラジカルの攻撃から保護でき、サイドエッチングが防止される。エッチング終了後は被エッチング基板を加熱すれば側壁保護膜10は痕跡を残さず昇華除去できる。このため、パーティクル汚染の虞れはない。

請求項（抜粋）：

高融点金属層上にAl系金属層が形成された構造を含む積層配線を、無機材料系マスクを用いてパターニングするドライエッチング方法において、該Al系金属層を塩化イオウ系ガスを含むガスでエッチング後、前記高融点金属層をフッ化イオウ系ガスを含むガスによりエッチングすることを特徴とする、積層配線のドライエッチング方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3213 ,  H01L 21/3205

FI (3件)：

H01L 21/302 F ,  H01L 21/88 D ,  H01L 21/88 N