特許

J-GLOBAL ID：200903041487652010

発光材料及び発光素子の製造方法

発明者： 松岡 茂登 ,  東野 俊一
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 光石 俊郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-201631
公開番号（公開出願番号）：特開平8-064905
出願日： 1994年08月26日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：

【要約】【目的】 高濃度の希土類を、厚み方向に限定された領域にドープした半導体の発光材料及び発光素子を製造する方法を提供することを目的とする。【構成】 アルゴンやヘリウムなどに代表される1種類の不活性ガス中、少なくとも2種以上を混合した不活性ガス中又は酸素、窒素、フッ素、炭素のうちいずれか1種の不純物元素或いはそれら不純物元素のうち2種以上の組み合わせからなる不純物元素を混入させた不活性ガス中で、半導体母体原料と希土類原料を同時に、或いはそれぞれ独立にスパッタして生じたイオンや中性粒子を堆積させて希土類ドープ半導体を形成するものである。

請求項（抜粋）：

1種の不活性ガス中、少なくとも2種以上を混合した不活性ガス中又は酸素、窒素、フッ素、炭素のうちいずれか1種の不純物元素或いはそれら不純物元素のうち2種以上の組み合わせからなる不純物元素を混入させた不活性ガス中で、半導体母体原料及び希土類原料を同時に、或いはそれぞれ独立にスパッタして生じたイオン又は中性粒子を堆積させて希土類ドープ半導体を形成することを特徴とする発光材料及び発光素子の製造方法。