特許

J-GLOBAL ID：200903041488003406

半導体装置用基板及びその製造方法

発明者： 岡田 貴弘 ,  村田 秀明 ,  坂田 正人
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
代理人 (1件)： 煤孫 耕郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-320307
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150743
出願日： 1998年11月11日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：

【要約】【課題】 半導体素子もしくは半導体素子を搭載したセラミック質の基板と金属的な接合を行っても十分な信頼性を得ることができ、放熱性に優れ、かつ廉価な半導体装置用放熱基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】 放熱基板(1)は、銅または銅合金板状部材(2)にあけた貫通穴(3)に、銅及び/または銅合金からなる金属マトリックスと炭素及び/または黒鉛質の繊維からなる複合材料の部材(4)をはめ込み配置し、強固に接合したもので、これに半導体素子または半導体素子を設けたセラミック質基板を搭載するものである。

請求項（抜粋）：

銅または銅合金板状部材の貫通穴に、銅及び/または銅合金からなる金属マトリックスと炭素及び/または黒鉛質繊維からなる複合材料の部材をはめ込み配置したことを特徴とする半導体装置用放熱基板。

IPC (3件)：

H01L 23/373 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/14

FI (3件)：

H01L 23/36 M ,  H01L 23/12 J ,  H01L 23/14 M

Fターム (4件)：

5F036AA01 ,  5F036BB08 ,  5F036BD01 ,  5F036BD11