特許

J-GLOBAL ID：200903041488690810

炭化珪素半導体装置の製造方法

発明者： 松野 吉徳 ,  今泉 昌之 ,  黒田 研一 ,  杉本 博司 ,  大塚 健一
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (2件)： 山田 卓二 ,  中野 晴夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-156916
公開番号（公開出願番号）：特開2006-332495
出願日： 2005年05月30日
公開日（公表日）： 2006年12月07日
要約：

【課題】 バンチングステップ等の表面荒れを発生させることなく、不純物注入層の活性化率を十分に高くする炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 炭化珪素半導体装置の製造方法が、炭化珪素基板を準備する工程と、炭化珪素基板に不純物イオンを注入する工程と、炭化珪素基板を熱処理する熱処理工程とを含む。熱処理工程は、水素ガスとアルキル系炭化水素ガスとの混合ガス雰囲気で行われる。アルキル系炭化水素ガスは、例えばプロパンガスからなる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

炭化珪素基板を準備する工程と、 該炭化珪素基板に不純物イオンを注入する工程と、 該炭化珪素基板を熱処理する熱処理工程とを含み、 該熱処理工程が、水素ガスとアルキル系炭化水素ガスとの混合ガス雰囲気で行うことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/872 ,  H01L 29/47 ,  H01L 21/265

FI (4件)：

H01L29/48 D ,  H01L21/265 602A ,  H01L21/265 602B ,  H01L21/265 Z

Fターム (5件)：

4M104AA03 ,  4M104CC03 ,  4M104DD26 ,  4M104FF35 ,  4M104GG03

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 炭化珪素半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-160054   出願人：富士電機ホールディングス株式会社

審査官引用 (2件)

• 半導体装置、およびその半導体装置を用いた電力変換器、駆動用インバータ、汎用インバータ、大電力高周波通信機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-307747   出願人：独立行政法人産業技術総合研究所
• 炭化珪素半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-275129   出願人：株式会社デンソー