特許
J-GLOBAL ID:200903041489551164
半導体装置におけるバンプ補強構造およびその形成方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
山下 穣平
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-104212
公開番号(公開出願番号):特開2000-208547
出願日: 1999年04月12日
公開日(公表日): 2000年07月28日
要約:
【要約】【課題】 実装後の接続信頼性が高く、しかも、どのような半田バンプの配置でも、十分な補強が可能であり、その補強構造の形成が容易に行え、製造コストを低減できる、半導体装置におけるバンプ補強構造およびその形成方法を提供する。【解決手段】 半導体装置の外部端子用パッドの配置に合わせて貫通孔を形成した補強用樹脂シートを、前記パッドのある半導体装置基板表面に接着し、前記貫通孔を介して、前記パッド上に半田バンプを構成していることを特徴とする。
請求項(抜粋):
半導体装置の外部端子用パッドの配置に合わせて貫通孔を形成した補強用樹脂シートを、前記パッドのある半導体装置基板表面に接着し、前記貫通孔を介して、前記パッド上に半田バンプを構成していることを特徴とする、半導体装置におけるバンプ補強構造。
IPC (2件):
FI (3件):
H01L 21/92 602 L
, H01L 21/92 604 H
, H01L 23/12 L
引用特許: