特許

J-GLOBAL ID：200903041491930040

半導体記憶素子及びその寿命動作開始装置

発明者： 黒田 和男 ,  ▲やなぎ▼沢 秀一
出願人/特許権者： パイオニア株式会社
代理人 (2件)： 江上 達夫 ,  中村 聡延
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-160769
公開番号（公開出願番号）：特開2004-006540
出願日： 2002年05月31日
公開日（公表日）： 2004年01月08日
要約：

【課題】記録したデータの寿命、即ち再生可能な有効時間の設定が可能であって、寿命期間内の動作の開始を任意に設定でき、且つ安価で大量の製造に好適な半導体記憶素子及びその寿命動作開始装置を提供する。【解決手段】メモリ1は、アドレス制御部10と、保護膜11と、特性劣化物質層12と、データ格納エリア14、15、16、17と、ボンディングパッド18とを備えて構成される。保護膜11は、半導体回路を構成する有機半導体層を保護するために設けられた膜であり、空気中の水分や、化学分子、或は光等が有機半導体層に進入することを防止する。また、この保護膜11を破壊し、所定の手段を施すことで有機半導体層の劣化を開始させ、寿命期間の動作が開始される。また、特性劣化物質層12は、有機半導体の特性を劣化させる物質を含んでいて、この物質を有機半導体層内部に拡散させることで、有機半導体層の劣化を開始させる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板と、 前記基板の上に設けられた有機半導体からなる半導体回路部と、 前記半導体回路部に隣接して設けられた保護部と を備え、当該保護部は所定手段により前記半導体回路部に達する亀裂が生じる部材で構成されていること を特徴とする半導体記憶素子。

IPC (5件)：

H01L27/10 ,  G06F12/14 ,  G06K19/077 ,  G06K19/10 ,  H01L51/00

FI (6件)：

H01L27/10 451 ,  H01L27/10 471 ,  G06F12/14 320D ,  H01L29/28 ,  G06K19/00 K ,  G06K19/00 R

Fターム (11件)：

5B017AA03 ,  5B017BA08 ,  5B017BB10 ,  5B017CA11 ,  5B035BA03 ,  5B035BB09 ,  5B035CA01 ,  5F083FZ07 ,  5F083JA55 ,  5F083LA25 ,  5F083ZA24