特許

J-GLOBAL ID：200903041498784678

プラズマ処理装置

発明者： 杉浦 崇治 ,  瀬戸山 英嗣 ,  石黒 浩二 ,  関 博文 ,  北澤 聡 ,  内川 貞夫
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 鵜沼 辰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-342921
公開番号（公開出願番号）：特開2000-173800
出願日： 1998年12月02日
公開日（公表日）： 2000年06月23日
要約：

【要約】【課題】 反応室内のプラズマ密度を均一にすること。【解決手段】 反応室12の外壁面にカスプ磁場形成用の永久磁石m1〜m16を配置するとともにマイクロ波導入ポート32〜38の両側に永久磁石M1〜M8を配置し、各永久磁石によって反応室12内にカスプ磁場42を形成する。そして、マイクロ波導入ポート32〜38の開口を縦長に形成することで、カスプ磁場42を均一に形成し、プラズマ密度の向上を図る。

請求項（抜粋）：

処理対象を収納する反応室と、マイクロ波を前記反応室内に導入するマイクロ波導入手段と、前記反応室内にプラズマの生成に関連するガスを導入するガス導入手段と、複数の磁性体により前記反応室内にその周方向に沿って磁場閉じ込め用のラインカスプ磁場を形成するカスプ磁場形成手段と、前記ラインカスプ磁場の一部の磁場とともに前記マイクロ波に対する電子サイクロトロン共鳴磁場を形成して高エネルギー電子を前記反応室内に放出させる共鳴磁場形成手段と、前記反応室内の電子に電圧を印加して反応室内に電離プラズマを形成させる電離プラズマ形成手段とを備え、前記マイクロ波導入手段は、前記反応室を臨むマイクロ波導入ポートを有し、このマイクロ波導入ポートは、前記反応室の周方向に沿った長さよりも前記周方向と交差する方向に沿った長さの方が長く形成されてなるプラズマ処理装置。

IPC (6件)：

H05H 1/46 ,  C23C 16/505 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31

FI (7件)：

H05H 1/46 B ,  H05H 1/46 C ,  C23C 16/50 B ,  C23F 4/00 G ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/302 B

Fターム (26件)：

4K030AA06 ,  4K030AA14 ,  4K030BA44 ,  4K030CA04 ,  4K030DA06 ,  4K030FA02 ,  4K030HA06 ,  4K030KA08 ,  4K030KA20 ,  4K030KA30 ,  4K030KA34 ,  4K030LA15 ,  4K057DA16 ,  4K057DD01 ,  4K057DM29 ,  4K057DM40 ,  4K057DN01 ,  5F004AA01 ,  5F004BA04 ,  5F004BA08 ,  5F004BD03 ,  5F004BD04 ,  5F045AA09 ,  5F045AC01 ,  5F045BB02 ,  5F045DP02