特許

J-GLOBAL ID：200903041500313629

スパッタリング方法およびその装置

発明者： 森 達之 ,  早田 博 ,  青倉 勇 ,  山本 昌裕
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 森本 義弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-085018
公開番号（公開出願番号）：特開2000-273628
出願日： 1999年03月29日
公開日（公表日）： 2000年10月03日
要約：

【要約】【課題】 スパッタリング方法およびその装置において、基板を成膜する際、必要とする膜厚分布および膜厚均一性を得ることを目的とする。【解決手段】 ターゲット3の裏面に配置した電磁石5の中心部ヨーク7の高さ(ターゲット3に対する位置)を駆動装置13を用いて可変とする。この構成により、電磁石5の中心部ヨーク7の高さを調整してターゲット3の表面に形成される磁力線の分布を制御することにより、膜厚分布を制御でき、必要とする膜厚分布および膜厚均一性を得ることができ、必要とする膜厚分布の基板4を得ることができる。

請求項（抜粋）：

スパッタガス中に被成膜材料と成膜材料を対向して配置し、これら被成膜材料と成膜材料との間にプラズマを発生させ、さらに成膜材料の表面に磁場を形成して、被成膜材料の表面に成膜材料による薄膜を形成するスパッタリング方法であって、前記成膜材料の表面に形成される磁場の形状を、経時変化と共に調整し、成膜時における膜厚分布を制御することを特徴とするスパッタリング方法。

Fターム (3件)：

4K029CA05 ,  4K029DC41 ,  4K029EA01